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【亞博】看好28奈米FD-SOI技術 意法借力成該技術領導者

    作者:亞博 時間:2019-05-14

  意法半導體(ST)宣佈其在28奈米 FD-SOI手藝平臺的研發上又向前邁出一年夜步,行將在位在法國Crolles的12吋(300mm)晶圓廠導入該製程手藝,這證實了意法半導體以28奈米手藝節點供給平面完全空匱型(planar fully-depleted)手藝的能力。在實現極為超卓的畫圖、多媒體處置機能和高速寬頻毗連功能的同時,而不犧牲電池的利用壽命的環境下,嵌入式處置器須具有市場上最高的機能和最低的功耗,意法半導體28奈米手藝的導入可解決這一挑戰,知足多媒體和可攜式利用市場的需求。

  FD-SOI手藝平臺包羅全功能且經由過程硅驗證的設計平臺和設計流程。手藝平臺包羅全套的根本程式庫(標準單位、記憶體發生器、 I/O、AMS IP和高速介面);設計流程合適開辟高速的高效能元件。

  與傳統製造手藝比擬,FD-SOI手藝可在年夜幅晉升機能的同時年夜幅下降功耗,是以ST-Ericsson選則採意圖法半導體的FD-SOI手藝設計將來的步履平臺。

  意法半導體履行副總裁、數位文娛事業部總司理暨手藝長Jean-Marc Chery暗示:「在產物和手藝研發范疇,意法半導體在好久之前就最先摸索新的解決方案。FD-SOI手藝的導入,使意法半導體再次擠身全球最具立異力的半導體手藝研發製造企業之列,后端晶圓測試證實,與傳統製造手藝比擬,FD-SOI在機能和功耗方面具有較著優勢,讓我們可以或許在28奈米手藝節點締造高本錢效益的工業解決方案。ST-Ericsson的NovaThor ModAp的最年夜處置頻率跨越2.5Ghz,在0.6V時到達800 MHz,對該平臺的子系統的測試證實,該手藝合適設計預期,具有矯捷性和寬電壓範圍,可支援電壓和頻率動態調劑(Dynamic Voltage and Frequency Scaling,DVFS)。」

  與製造成功一樣主要的是,意法半導體發現了從28奈米 傳統CMOS製程(Bulk CMOS)向28奈米 FD-SOI移植代碼庫和物理IP到十分簡單,因為沒有MOS歷史效應,用傳統CAD東西和方式設計FD-SOI數位系統單晶片的進程與設計傳統塊狀硅(Bulk)元件完全不異。FD-SOI可以或許用在製造高能效的元件,需要時,動態基體偏壓(dynamic body-bias)能讓元件當即進入高機能模式,而在其余時候連結在低漏電流模式,這些對利用軟體、功課系統和高速緩存系統都完全透明。與傳統CMOS製程手藝比擬,FD-SOI可實現更優良的機能和低工作電壓,并具有很是超卓的能效。

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